| Üksus | Tüüpiline väärtus | Üksus |
| Suurus | 2.3 | Toll |
| Resolutsioon | 320RGB*240DOTS | - |
| Sidumismõõt | 51,00 (W)*45,80 (H)*2,3 (t) | mm |
| Vaateala | 46,75 (W)*35.06 (h) | mm |
| Tüüp | Tft | |
| Vaade suunas | kell 12 | |
| Ühenduse tüüp: | COG + FPC | |
| Töötemperatuur: | -20 ℃ -70 ℃ | |
| Säilitamistemperatuur: | -30 ℃ -80 ℃ | |
| Draiveri IC: | Ili9342c | |
| Liidese tüüp: | MCU & SPI | |
| Heledus: | 200 CD/㎡ | |
Seetõttu määrab vedelkristallmaterjali faasisiirtemperatuur vedelkristallseadme töötemperatuuri vahemiku.Tabel 1 näitab seost
Asjakohased vedelkristallmaterjali parameetrid ja sellega seotud vedelkristallide ekraaniseadme omadused.Vedelkristallide materjali parameetrid on peamiselt selged
Punkt TP (temperatuuri üleminekupunkt vedeliku kristallifaasist isotroopse faasi), kõvenemispunkt Ts.N (muundamine nemaatilisest faasist smektiliseks faasiks või tahkeks faasiks)
Temperatuuripunkt), optiliselt anisotroopne kahekordse purustamine, dielektriline anisotroopia oε, elastne konstant kn (pritsitud elastne konstant),
K22 (väändeelastsuskonstant), K33 (paindeelastsuskonstant), pöörlemisviskoossus y jne.
| Parameeter | Sümbol | Tüüpiline väärtus | Kommentaarid |
| Kliiringpunkt | Tclp | 80°C. | MaxTöötemperatuur |
| Smektiline nemaatiline Ltransment | TS-N | - 40°C. | Min.Töötemperatuur |
| Optiline anisotroopia | A n = n //-n l | 0,085 = 1,562-1 .477 | Määrab optilise käitumise |
| Dielektriline anisotroopia | 0 ε=ε// _ | 7=10,5-3,5 | Ideterib käitumist elektriväljal |
| Elastsed konstandid | K11，K22, K33. | 10-11Newton | Oluline reageerimise aja jaoks |
| Rotatsiooni viskoossus @20°C | Y 1 | 100 MPa s | Oluline reageerimise aja jaoks |
